EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC cristallum incrementum materia rudis
| Locus Origin: | Sinis |
| Notam nomen: | Semixlab |
| Model Number: | CVD SiC |
| Certification: | ISO 9001 |
| Minimum Ordinis Quantity: | Pauca chiliogrammata (emptionem parvarum copiarum ad gradum investigationis et progressionis sustinet) |
| Price: | Adaptā pretia ad specificationes. Mandata altae puritatis (≥99.9999%) sustinent. |
| Packaging Details: | Lagena sigillata gasis inertis altae puritatis, sacculus aluminii humiditati et oxidationi impervius |
| Tempus adferendi: | Dies VII-XV (ordinarius) / dies XX-XXX (formula consuetudinaria) |
| Pensio conditio: | T/T (50% ante tempus, 50% ante traditionem) |
| Facultates copiam: | Capacitas productionis menstrua 500kg, ordines puritatis altae (≥99.9999%) sustinet |
Description
Materia prima ad accretionem crystallorum SiC est materia recentissima et provecta a Semixlab elaborata. Pars principalis est lamina SiC CVD. Qualitas crystalli singularis SiC ex hac materia prima producti est excellens et in industria summum gradum obtinet.
Nucleus producti clarus
Processus praeparationis subversivae
Utentibus technologia CVD strato fluido independenti patente (patente numero: ZL2024XXXXXXX), methyltrichlorosilano (MTS) ut praecursore, ad consequendum:
Puritas > 99.9995% (GDMS analysis elementorum totalium)
Contentum nitrogenii ≤0.09ppm (nulla purificatione addita)
Magnitudo particularum 4-10mm (methodus traditionalis auto-expansionis < 2.5mm)
Commodum accretionis crystallorum
| Index | Methodus conventionalis auto-expansionis pulveris SiC | Materia cruda accretionis crystallorum SiC Semixlab |
| Densitas microtubulorum variabat | 103~ decem4cm-2 | <LXX cm-2 |
| Usus materiarum crudarum | 30 -40%% | > 50% |
Environmental tutela et oeconomia
Emissio nullae pollutionis: acidum hydrochloricum in salem neutralizari potest
Impensae triginta centesimis imminutae: materia prima methyltrichlorosilanum est praecipua substantia chemica Sinarum.
Crystallae SiC cultae utens materia prima crescentiae crystallorum SiC
Velox Detail:
1. Alia nomina: frustum SiC CVD; fragmentum SiC.
2. Usus: Materia prima ad accretionem monocrystalli SiC.
3. Parametri principales: Puritas > 99.9995% (GDMS analysis elementorum totalium), Contentum nitrogenii ≤0.09ppm (nulla purificatione addita), Magnitudo particularum 4-10mm (methodus traditionalis auto-dispersionis < 2.5mm).
Specifications
Applications
Materia prima ad accretionem monocrystalli SiC.
competitive Italiae Commodum Collegit
1. Progressus in puritate
Puritas ≥99.9995% (analysis elementorum totius GDMS). Contentum nitrogenii ≤0.09ppm per depositionem vaporis chemici (sine purificatione secundaria) consecutum est. Praesertim aptum necessitatibus accretionis monocrystalli SiC semi-insulantis.
2. Optimizatio magnitudinis et densitatis particularum
Magnae magnitudinis particularum (4-10 mm), capacitatem oneris crucpot significanter augent (plus quam 1.5 kg pro eodem volumine), vitia encapsulationis carbonis durante incremento crystalli minuunt.
3. Commodum sumptus magnum est.
Sumptus materiae rudis triginta centesimis minuere.
Methyltrichlorosilano (MTS) ut praecursore adhibito, sumptus acquisitionis materiae rudis tantum tertia pars est sumptus schematis traditionalis silicae fumi puritatis altae + graphiti. Ratio usus materiae rudis > 50% (processus traditionalis tantum 30%-40%).
4. Processus circuli clausi tutelae environmentalis
Nulla pollutionis emissio.
Acidum hydrochloricum, productum secundarium productionis, sales innocuos per reactionem neutralisationis generat, tria problemata curationis vastorum processuum traditorum (sumptus curationis gasorum excrementorum/saltorum plus quam 15% constituunt) omnino vitans.
5. Saltus qualitatis crystallinae
Densitas microtubulorum erat < 300 cm-2.
Proportio atomorum Si/C materiae rudis prope 1:1 est (deviatio methodi traditae > 5%), vitia segregationis silicii durante accretione crystalli minuens. Proventus ingotti 85%-92% (65%-75% productorum aemulantium), damnum sectionis monocrystalli clientium subsequentium minuens.
